Sementara itu, Samsung Electronics mengumumkan bahwa ``HBM3E 8 lapis dan 12 lapis sedang diproduksi massal.'' Namun, karena pasokan yang tertinggal dibandingkan perkiraan awal untuk periode Juli-September, sulit untuk memperluas pangsa pasar HBM kami.
Ini adalah situasi yang tidak jelas. Performa DRAM kelas 14 nanometer (1a) yang digunakan Samsung Electronics untuk memproduksi HBM3E dikatakan kalah dengan SK Hynix. Untuk samsung ini
Denshi dikatakan sedang melanjutkan desain ulang DRAM 1a untuk produksi HBM. Untuk itu, ada kemungkinan kerjasama dengan Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (TSMC), sebuah perusahaan pengecoran besar (kontrak manufaktur semikonduktor).
. Hingga saat ini, Samsung Electronics menekankan solusi satu atap yang menyediakan segalanya mulai dari desain, memori, hingga pengecoran (kontrak manufaktur semikonduktor). Bagian bawah paket HBM
Perusahaan telah merencanakan untuk memproduksi cetakan dasar untuk ditempatkan di dalam perusahaan, namun kebijakan ini telah berubah. Saat ini bisnis memori, yang telah mempertahankan posisi teratas di pasar, sedang mengalami krisis, HBM harus melakukannya
Keputusan diambil bahwa perlu untuk meningkatkan kemampuan teknis perusahaan. Ada kemungkinan kerja sama akan maju tidak hanya di bidang base die tetapi juga di bidang pengemasan, dimana TSMC dinilai memiliki keunggulan.
2024/11/19 09:12 KST
Copyrights(C) Edaily wowkorea.jp 101