Tiga perusahaan memori besar sedang bersaing ketat dalam memori broadband generasi mendatang, dengan produksi massal dijadwalkan pada paruh pertama tahun ini di Korea Selatan.
Samsung Electronics baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan DRAM memori bandwidth tinggi (HBM) 36 GB pertama di industri menggunakan teknologi penumpukan 12 lapis. 24 gigabita